English測試結(jié)構(gòu)片
中科智芯可以提供如下規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)假片，亦可根據(jù)客戶需求定制。
| RDL | TSV (outsourcing) | Bumping | Oxide Wafer | Cu Wafer |
1. RDL
規(guī)格書：
| 條目 Item | 單層重布線 Single Side RDL | 雙層重布線 Double Side RDL |
最小硅厚度 Min Si Thickness | 60um | 60um |
銅厚度 Copper Thickness | >1um | >1um |
銅線寬/線距 Copper Line/Space | ≥ 2um/2um | ≥ 2um/2um |
| 最小芯片尺寸 Min Chip Size | 0.6mm×0.3mm | 0.6mm×0.3mm |
| 編帶 Tape&Reel | 最小芯片厚度 Min die thickness： 90um | 最小芯片厚度 Min die thickness：90um |
結(jié)構(gòu)示意圖：
2. TSV
規(guī)格書：
| 條目 Item | TSV 10:100 | TSV 20:200 |
晶圓尺寸 Wafer size | 300mm | 300mm |
硅厚度 Si Thickness | 100um±10um | 200um±10um |
通孔尺寸 Via size | 10um±1.5um | 20um±3um |
金屬層 Metal layers | 頂層 Top side：3層 layer | 頂層 Top side：3層 layer |
銅線寬/線距 Copper Line/Space | ≥ 10um/10um | ≥ 10um/10um |
最小凸點間距 Micro Bump Pitch | ≥ 40um | ≥ 40um |
結(jié)構(gòu)示意圖：
3. Bumping
規(guī)格書：
| 條目 Item | 晶圓凸點 Wafer Bumping |
晶圓尺寸 Wafer size | 300mm/200mm |
凸點間距 Bump Pitch | ≥40um |
凸點尺寸 Bump Size | ≥10um |
| 凸點高度 Bump Height | <80um |
結(jié)構(gòu)示意圖：
4. Oxide Wafer
規(guī)格書：
| 條目 Item | 氧化物晶圓 Oxide Wafer | 氧化物晶圓 Oxide Wafer |
晶圓尺寸 Wafer size | 300mm | 200mm |
二氧化硅厚度 SiO2 Thickness | 0.1um~6um | 0.1um~6um |
5. Cu Wafer
規(guī)格書：
| 條目 Item | 銅晶圓 Cu Wafer | 銅晶圓 Cu Wafer |
晶圓尺寸 Wafer size | 300mm | 200mm |
銅厚度 Cu Thickness | ≥1um | ≥1um |
6. Fan-out Dummy Molding Wafer
| 條目 Item | 金屬載體 Metal Carrier | 玻璃或硅晶圓 Glass or Silicon Wafer |
塑封尺寸 Molding wafer size | 300mm | 294mm or 297mm |
塑封厚度 Molding wafer thickness | 250um~1000um | 100um~1000um |
